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晶圓測試在測量中注意的問題?

所屬類別:2019-11-28 閱讀:444次
晶圓測試是芯片交貨前必須的步驟,其目的就是為了篩選出符合產品規范的合格品提供給客戶。通常衡量晶圓測試的結果有兩個:第一看測試良率是否達到預期,第二看測試參數分布C雕是否滿足量產需求。晶圓測試良率和C陬長期以來是業界關心的問題,特別是從事半導體制造和質量控制的工程師們一直在想辦法降低制造工藝帶來的良率損失,以降低制造成本。但苦于集成電路產品設計越來越復雜, 工藝越來越先進,設計和工藝的交叉影響對測試的提出很高的挑戰。
晶圓測試
常見幾種晶圓測試問題的解決方案。總結下來晶圓良率問題主要體現在這么幾類: 產品設計問題,設計工藝匹配度問題,工藝本 身問題(包含光罩問題)和測試本身問題。

對于產品設計問題:通常所說的設計上的各種 bug,如有必要需要更改局部電路設計,增強設計的魯棒性,代價是設計復雜度和芯片面積的 增加。 對于設計工藝匹配度問題:檢查布局布線是否 符合設計手冊的要求,SPICE模型 是否準確。控制工藝參數的波動,盡量把工藝參數控 制在仿真保證的范圍內;

工藝本身問題:減少因為設備或環境引入的工 藝污染,產品量產前做好工藝窗口拉偏確認,通常要做Poly尺寸和各種CMOS管子Vt參數的拉偏實 驗; 測試本身問題:測試硬件定期維護,排除針卡誤宰導致的良率損失,如果有多個量測系統,要在量 產前做好量測系統重復性和重現性驗證。
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